Samsung разрабатывает LPDDR5X со скоростью 10,7 Гб/с
Компания Samsung Electronics объявила об усовершенствовании технологии производства памяти, которая позволит создать первые модули LPDDR5X DRAM с высочайшей на сегодня скоростью 10,7 Гб/с.
В новой памяти используется 12 нм класс производства, что является самым мелким процессом из доступных Samsung. Проведенные изменения не только позволили повысить производительность на 25% и ёмкость на 30%, по сравнению с нынешним поколением, но и расширить ёмкость одного пакета мобильной DRAM до 32 гигабайт, что делает данную память оптимальной для устройств в эпоху ИИ.
Кроме этого, новая память LPDDR5X содержит специальные технологии сохранения энергии, что позволяет расширить периоды сбережения энергии. Это, в итоге, повышает энергоэффективность модулей на 25%.
Массовое производство модулей LPDDR5X с пропускной способностью 10,7 Гб/с будет начато во второй половине текущего года.
